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集成電路電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)會議
作者:  日期:2019-06-03  瀏覽次數(shù):2502次  來源:
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       5月28-29日在北京參加集成電路電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)工作組會議(第一次會議)。工作組下屬于全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會集成電路分技術(shù)委員會(SAC/TC78/SC2)。

       工作組組長崔強,副組長方文嘯(廣州賽寶),副組長吳建飛(天津濱海軍民融合研究院)。會議主要探討了集成電路電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)國內(nèi)現(xiàn)狀及國際最新進展以及測試技術(shù),特別提到標(biāo)準(zhǔn)中可能會取消近場掃描法。工作組期望制定一個推薦標(biāo)準(zhǔn),為芯片制造商在芯片設(shè)計制造中提供對芯片進行電磁兼容測試方法,并不要求測試等級和判定等級。芯片廠商和芯片使用方對芯片的電磁兼容測試并不是完全的支持,更在意芯片在電路中的電磁兼容性,而不是僅僅局限于芯片自身(可能更關(guān)心芯片的材料、熱學(xué)、力學(xué)、化學(xué)、電學(xué)等)。

       會議期間,工作組討論了 國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T XXXXX.1《集成電路電磁發(fā)射測量第1部分:通用條件和定義》(工作組討論稿)和國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T XXXXX.1 《集成電路電磁抗擾度測量第1部分:通用條件和定義》(工作組討論稿)。



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