EMC－－電磁兼容測(cè)試介紹
EMC全稱Electro-Magnetic Compatibility。指的是設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對(duì)該環(huán)境中任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的能力。EMC是評(píng)價(jià)產(chǎn)品質(zhì)量的一個(gè)重要指標(biāo)。
EMC測(cè)試包括：
（1）EMI（Electro-Magnetic Interference）－－-電磁騷擾測(cè)試
此測(cè)試之目的為：檢測(cè)電器產(chǎn)品所產(chǎn)生的電磁輻射對(duì)人體、公共電網(wǎng)以及其他正常工作之電器產(chǎn)品的影響。
（2）EMS（Electro-Magnetic Susceptibility）－－-電磁抗擾度測(cè)試
此測(cè)試之目的為：檢測(cè)電器產(chǎn)品能否在電磁環(huán)境中穩(wěn)定工作，不受影響。
其中EMI包括：
（1） 輻射騷擾測(cè)試（RE）－－-測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：EN55022
（2） 傳導(dǎo)騷擾測(cè)試（CE）－－-測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：EN55022
（3） 諧波電流測(cè)試（Harmonic）－－-測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：EN 61000-3-2
（4） 電壓變化與閃爍測(cè)試（Flicker）－－-測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：EN 61000-3-3
EMS包括：
（1） 靜電放電抗擾度測(cè)試（ESD）－－-測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：EN6100-4-2
（2） 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度（RS）－－-測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：EN61000-4-3
（3） 射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度（CS）－－-測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：EN61000-4-6
（4） 電快速瞬變脈沖群抗擾度測(cè)試（EFT）－－-測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：EN61000-4-4
（5） 浪涌（沖擊）抗擾度（SURGE）－－-測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：EN61000-4-5
（6） 電壓暫降，短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度測(cè)試（DIP）－－-測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：EN61000-4-11
（7） 工頻磁場(chǎng)抗擾度測(cè)試（PFMF）－－-測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：EN61000-4-8
手機(jī)進(jìn)網(wǎng)預(yù)測(cè)試中涉及到的EMC測(cè)試項(xiàng)目
上面就一般電器產(chǎn)品的EMC測(cè)試項(xiàng)目做了一些說明，本節(jié)主要介紹手機(jī)在進(jìn)網(wǎng)測(cè)試中所需進(jìn)行的EMC測(cè)試。
EMI方面：
（1） 輻射連續(xù)騷擾（RE）－－-測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：GB9254
（2） 傳導(dǎo)連續(xù)騷擾（CE）－－-測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：GB9254
（3） 輻射雜散騷擾（SE（R））－－-測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：YD1032
（4） 傳導(dǎo)雜散騷擾（SE（C））－－-測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：YD1032
EMS方面：
（1） 電快速瞬變脈沖群抗擾度測(cè)試（EFT）：GB/T 17626.4-1998
（2） 靜電放電抗擾度（ESD）：GB/T 17626.2-1998
（3） 浪涌（沖擊）抗擾度（SURGE）：GB/T 17626.5-1998
（4） 射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度（CS）：GB/T 17626.6-1998
（5） 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度（RS）：GB/T 17626.3-1998
（6） 電壓暫降，短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度（DIP）：GB/T 17626.11-1998
輻射與傳導(dǎo)的區(qū)別：
輻射：
物體都以電磁波的形式時(shí)刻不停地向外傳送能量,這種傳送能量的方式稱為輻射。物體通過輻射所放出的能量，稱為輻射能，簡(jiǎn)稱輻射。
傳導(dǎo)：
通過某種實(shí)物連接而產(chǎn)生的能量傳遞。
連續(xù)騷擾：
對(duì)一個(gè)特定設(shè)備的效應(yīng)不能分解為一串能清晰可辨的效應(yīng)的電磁騷擾。
輻射連續(xù)騷擾也可稱為輻射騷擾或者輻射干擾即RE，其測(cè)試目的為判斷手機(jī)自身所輻射出電磁能量的強(qiáng)度。輻射騷擾超標(biāo)的產(chǎn)品可能使設(shè)備或系統(tǒng)性能劣化或者對(duì)生物和非生物起不良反映。
傳導(dǎo)連續(xù)騷擾也可稱為傳導(dǎo)騷擾或者傳導(dǎo)干擾即CE。一般來說此項(xiàng)測(cè)試目的在于檢測(cè)連接到城市公共供電網(wǎng)絡(luò)的手機(jī)對(duì)于公共電網(wǎng)的影響。
其中雜散（Spurious Emissions）項(xiàng)目是針對(duì)手機(jī)而特別提出的。所謂雜散即必要帶寬以外頻率發(fā)射（并且不包括由調(diào)制過程產(chǎn)生的必要帶寬以外頻率的發(fā)射）。
雜散騷擾：
除載頻和與正常調(diào)制相關(guān)的頻帶以外離散頻率上的騷擾?？梢苑譃閭鲗?dǎo)和輻射兩種（此處傳導(dǎo)與輻射的測(cè)試目的與RE和CE類似）。因此在EMI中有兩條有關(guān)手機(jī)雜散的測(cè)試項(xiàng)。
SE（R）測(cè)試：
電臺(tái)裝有天線在輻射試驗(yàn)場(chǎng)測(cè)得的雜散窄帶射頻分量。它包括諧波和非諧波分量及寄生分量。此項(xiàng)測(cè)試即測(cè)試其雜散窄帶射頻分量大小。
SE（C）測(cè)試：
在有匹配負(fù)載的天線端測(cè)得的雜散射頻分量。其特征通常是在離散頻率上或窄頻帶內(nèi)有一顯著的分量，它包括諧波和非諧波分量以及寄生分量，不包括為傳輸信息的必要頻帶極近處的分量。此項(xiàng)測(cè)試即檢測(cè)手機(jī)在被測(cè)頻段內(nèi)產(chǎn)生的諧波和非諧波分量以及寄生分量。
EFT測(cè)試：
這是一種耦合到電子設(shè)備的電源線、控制線和信號(hào)線上的，且由許多快速瞬變脈沖組成的脈沖群試驗(yàn)。試驗(yàn)的要素是瞬變的上升時(shí)間、重復(fù)率和能量。
ESD測(cè)試：
模擬手機(jī)在遭受到靜電放電時(shí)性能是否會(huì)下降或失效,放電分為直接放電和間接放電兩類。對(duì)導(dǎo)電表面采用直接接觸放電的方式；對(duì)絕緣表面采用空氣放電方式。接觸放電為首選形式，只有在不能用接觸放電的地方（如表面涂有絕緣層，手機(jī)鍵盤縫隙等情況）才改用空氣放電。
SURGE測(cè)試：
測(cè)試手機(jī)電源線和內(nèi)部連接線在經(jīng)受來自開關(guān)切換及自然界雷擊后是否會(huì)影響到其各項(xiàng)功能的一種測(cè)試。
CS測(cè)試：
在通常情況下，被干擾設(shè)備的尺寸要比干擾頻率的波長(zhǎng)短得多，而設(shè)備的引線（包括電源線、通信線和接口電纜等）的長(zhǎng)度則可能與干擾頻率的幾個(gè)波長(zhǎng)相當(dāng)，這樣，這些引線就可以通過傳導(dǎo)方式（最終以射頻電壓和電流所形成的近場(chǎng)電磁騷擾在設(shè)備內(nèi)部）對(duì)設(shè)備產(chǎn)生干擾。此項(xiàng)測(cè)試目的即評(píng)價(jià)電氣和電子設(shè)備對(duì)由射頻場(chǎng)感應(yīng)所引起的傳導(dǎo)騷擾的抗擾度。
RS測(cè)試：
射頻輻射電磁場(chǎng)對(duì)設(shè)備的干擾往往是由設(shè)備操作、維修和安全檢查人員在使用移動(dòng)電話時(shí)所產(chǎn)生的，其他如無(wú)線電臺(tái)、電視發(fā)射臺(tái)、移動(dòng)無(wú)線電發(fā)射機(jī)和各種工業(yè)電磁輻射源（以上屬有意發(fā)射），以及電焊機(jī)、晶閘管整流器、熒光燈工作時(shí)產(chǎn)生的寄生輻射（以上屬無(wú)意發(fā)射），也都會(huì)產(chǎn)生射頻輻射干擾。此項(xiàng)測(cè)試目的是建立一個(gè)共同的標(biāo)準(zhǔn)來評(píng)價(jià)電氣和電子設(shè)備的抗射頻輻射電磁場(chǎng)干擾的能力。
DIP測(cè)試：
電壓瞬時(shí)跌落、短時(shí)中斷是由電網(wǎng)、變電設(shè)施的故障或負(fù)荷突然出現(xiàn)大的變化所引起的。在某些情況下會(huì)出現(xiàn)兩次或更多次連續(xù)的跌落或中斷。電壓變化是由連接到電網(wǎng)的負(fù)荷連續(xù)變化引起的。此項(xiàng)測(cè)試模擬電壓的突變效應(yīng)，以便建立一種評(píng)價(jià)電氣和電子設(shè)備在經(jīng)受這種變化時(shí)的抗擾性通用準(zhǔn)則
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