靜電場的強度取決于充電物體上的電荷數(shù)量和它的電荷量不同的物體之間的距離。人體上的電壓通常會達到8kv~10kv，有時電壓會更高，達到12kv~15kv。許多文獻上稱，人體的電壓可以達到30kv。但這是假設身體的最小輝光放電半徑為1cm時推斷的。實際上，人體上許多部位的輝光放電半徑小于1cm，因此在通常條件下是不會出現(xiàn)這么高電壓的。人體上的最高電壓應該是20kv左右。
如果一個元件的兩個針腳或更多針腳之間的電壓超過元件介質(zhì)的擊穿強度，就會對元件造成損壞，這是MOS器件出現(xiàn)故障最主要的原因。MOS器件的氧化層越薄，元件對靜電放電的敏感性也越大。由靜電引起的MOS器件故障通常表現(xiàn)為元件本身對電源有一定阻值的短路現(xiàn)象。對于雙極性元件，損壞一般發(fā)生在薄氧化層隔開的已進行金屬噴鍍的有源半導體區(qū)域，靜電引起的擊穿會產(chǎn)生電流嚴重泄露的路徑。
另一種故障是由于節(jié)點的溫度超過半導體硅的熔點（1415℃）時引起的。靜電放電脈沖的能量可以產(chǎn)生局部發(fā)熱，使半導體局部熔斷損壞。即使靜電產(chǎn)生的電壓低于介質(zhì)的擊穿電壓，也會發(fā)生這種故障。一個典型的例子是，NPN型三極管發(fā)射極與基極間常會因靜電而擊穿，擊穿后電流增益急劇降低。
器件受到靜電放電的影響后，也可能不立即出現(xiàn)功能性的損壞。這些受到潛在損壞的元件通常被稱為“跛腳”，一旦加以使用，將會對以后發(fā)生的靜電放電或傳導性瞬態(tài)表現(xiàn)出更大的敏感性。整體的性能表現(xiàn)為電子設備的性能越來越差，直至完全損壞。
要密切注意元件在不易察覺的放電電壓下發(fā)生的損壞，這一點非常重要。人體有感覺的靜電放電電壓為3000v~5000v，然而，元件發(fā)生損壞時的電壓僅幾百伏，。這勢必會對電子電路的性能產(chǎn)生影響。表1和表2分別列出了典型生產(chǎn)現(xiàn)場易產(chǎn)生的靜電電壓及靜電對部分電子器件的擊穿電壓。由這兩個表我們可以看出，相對于自然界的靜電來說，電子器件是非常嬌貴的，正是基于這一因素，是否采取了靜電防護措施是衡量電子器件質(zhì)量好壞的一個非常重要的指標。
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